而李飞利用重生前的芯片技术积累，用cmos工艺制造FM芯片，可以说在FM芯片市场上是非常先进的芯片工艺技术了！
那么，如果FM芯片使用双极TTL晶体管工艺，在市场上没有优势了！最重要的是FM芯片后续应用于汽车和手机，可能就没有技术优势了，因为汽车和手机的电磁干扰非常大，
于是，李飞亲自打电话给台极电专业负责客服工程电话，客气地说道：“你好，我是大深市芯片产业的工程师李飞，关于贵司的邮件告知我司的芯片流片还需要延迟，到底是什么原因？”
对方态度不友善地说道：“哦，你FM芯片工艺要求是COMS，可是目前FM芯片主流可是双极TTL，”
李飞压住心中怒气，平和道：“现在芯片工艺主流是COMS…，”
没等李飞把话说完，对方打断了，并轻蔑地说：“你们内地人不懂，芯片是高科技产品，和你说不清，简单地说，你的FM芯片采用CMOS工艺，是比较复杂，在芯片制造上工序比较多，所以，芯片流片时间需要延缓…”
李飞乐呵一笑，在本人面前谈论芯片制造工艺，你还嫩了一点，重生前，本人在英特尔是副总裁，负责英特尔的芯片设计和芯片制造，
...
同时，李飞从内心上，认为不必和这人一般见识，不必再继续说下去…，
但为了FM芯片早点量产，早点让FM芯片进入市场变现，李飞不得不展示芯片研发实力，给一点颜色看看，让对方知道什么是研发技术大神。但没有必要再客气了，就命令道：“你不要打断我说话！如我说得没有错的话，CMOS工艺流程大概是这样的：
先是准备n型硅片，用以制造NMOS和PMOS晶体管。（注：CMOS工艺是在PMOS和NMOS工艺基础上发展起来的）
再使用湿氧化方法，在硅片上生长设定厚度（如约0.6微米）的二氧化硅层，作为制造p型区的掩蔽层。随后光刻p型区。
接着，光刻出NMOS晶体管的p阱区和PMOS晶体管的源、漏区后，使用氮化硼片作掺杂源进行硼预淀积。
在淀积硼以后，进行杂质推进扩散，形成NMOS晶体管的p阱，在推进扩散的同时，也进行干氧化，接着进行湿氧化预定时间（如20分钟），该二氧化硅层作为光刻n型区的掩蔽层。
如光刻出n型掺杂区，然后进行磷掺杂扩散，形成NMOS晶体管的源、漏区；
在磷扩散以后，进行湿氧化预定时间（如20分钟），该二氧化硅层用以制造NMOS和PMOS栅氧化区的的掩蔽层；
光刻出NMOS和PMOS晶体管的栅区，然后使用干氧化方法，生成设定厚度的栅二氧化硅层（如500纳米制程），”